DFB激光器已经商品化，本小节介绍和讨论DFB半导体激光器不同于F-P腔激光器的一些主要特性。
1) 腔内场分布和速率方程
3.1.1节讨论了DFB激光器的阈值条件。它的阈值电流和输出功率等特性与有源区的增益系数、载流子自发辐射寿命等因素有关，需要进一步分析器件的速率方程得到。为此需要求得腔内的光子总数。根据耦合模方程及其解，可得激光器腔内的场分布。对于无相移均匀光栅的DFB激光器，腔内场分布为[4]
(3-18)
±z方向传输光束有对称的光强分布，它们之和为(3-19)
式中γ=γr+jγi。积分可得腔内总能量：(3-20)
上面后一式由本征方程γ=jκsinh(γｌ)和g+jδ=jκcosh(γｌ)得到。激光器两端输出的总功率为...... （共3722字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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