DFB激光器的光栅与有源区平行地制作在一起，两者直接耦合，集成度很高，但是存在互相牵制、不能分别控制的问题。在器件结构设计和制备中，有时需要优化有源区，而不希望影响频率选择的光栅特性，或者优化后者而保持前者特性。这就希望将有源区和光栅制备在不同区域。于是开发了另外一种单片集成的单频激光器，就是将波导光栅制备在有源区一端或两端，相当于常规激光器中使用的干涉滤光片腔镜。这就是分布布拉格反射半导体激光器[20～22]，基本结构如图3-7所示。结构(a)中包括前向和后向两段光栅、无光栅的增益区和无源、无光栅的相位控制区。它们可以通过电学隔离的4个电极分别注 ...... （共896字） [阅读本文]>>
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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