1) 阈值条件
DBR激光器的阈值条件与常规F-P腔激光器有同样的形式：
r1r2exp[j2(nr+jni)klg+j2∅]=1
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式中，折射率虚部ni＝(αc-g)/(2k)正比于腔内的净增益;lg为增益段的长度;∅代表相移控制段引入的相位因子。芯片的解理面作增透镀膜时，r1和r2为两端波导光栅的反射率，它们有窄带的反射谱，两反射谱的峰值可以分别调谐;它们的峰值可以重合，也可以有偏离。激光频率决定于两波导光栅构成的复合光谱的峰值。对于单端DBR激光器，其中之一为半导体解理面的宽带反射率;另一个为光栅，其反射率峰值决定了激射波长。芯片解理面未作增透处理时，r1，r2为波导光栅和端面反射的复合反射率。需要注激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的
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