1.1 半导体激光器发展历史回顾
激光器的发明是光学科学技术历史上的一个划时代的成就。在微波激射和红宝石激光器诞生之后[1，2]，不久就实现了半导体材料的光受激发射[3]。在各种激光器中，半导体激光器是人民生活中使用最多、产业化程度最高...查看详细>>
2213字1.2 单频半导体激光器及其应用
激光的主要特点是它的高相干性，包括空间相干性和时间相干性。前者表征光束极好的方向性，在同样的输出功率下意味着高亮度，即单位面积、单位立体角发射的光功率高。后者表征光波极高的单色性，也就是极窄的线宽。光的...查看详细>>
3750字4图参考文献
[1]GordonJ，ZeigerH，TownesCH.Themaser—newtypeofmicrowaveamplifier，frequencystandard，andspectrometer[J]...查看详细>>
2728字2.1 半导体激光器的结构和基本原理
半导体激光器的典型结构如图2-1所示。可以看到，它是一个半导体P-N结二极管。因此半导体激光器也被称为激光二极管(LaserDiode，LD)，或二极管激光器(DiodeLaser)。有源区(Activ...查看详细>>
489字1图2.1.1 半导体中的光受激发射条件
关于半导体激光器的基本原理，已经有不少专著给出了详细的论述[1～10]。本章仅做一个简要的介绍，为了解和理解单频半导体激光器提供基础性知识。半导体光发射发生在导带和价带之间，称为带间复合发光。半导体中的...查看详细>>
2027字13图2.1.2 半导体P-N结、异质结和量子阱
由以上分析可知，在半导体中实现激射，必须有很高的载流子注入，准费米能级分别进入导带和价带。要在半导体中注入如此高的载流子浓度，必须克服技术上的困难。方法之一是光泵。在真空中实现的电子束注入也可以产生高密...查看详细>>
2103字3图2.1.3 半导体激光器的激射条件和速率方程
常规半导体是晶体材料，具有解理面。激光器是一个由相距为L的两个平行解理面构成的F-P腔。用分析F-P滤波器同样的方法[2]，可以得到其透过率为＝(2-11)式中，β=(nr+jni)k，其中ni＝(αc...查看详细>>
2062字11图2.2 半导体激光器的特性
本节介绍半导体激光器的主要特性，包括输出功率特性、横模特性、光谱特性、瞬态特性、温度特性。对单频激光器重点关注的线宽和噪声等特性将在2.3节集中介绍和讨论。...查看详细>>
78字2.2.1 输出功率特性
LD功率特性可以通过速率方程分析得到。考虑单纵模的情况，在直流电流驱动的稳态下，速率方程为(2-18a)(2-18b)考虑两端腔面反射率不同，稳态速率方程的解要满足边界条件：在腔面z=0上，p+(0)=...查看详细>>
1768字25图2.2.2 横向结构和横模特性
在2.1节中已经指出，半导体异质结构成了一个平面光波导。大带隙、低折射率材料构成光波导的包层;包含P-N结的小带隙区域为芯层。波导模式的场分布服从光波导的电磁场理论。图2-10为波导示意图，(a)为垂直...查看详细>>
2303字11图
