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1.2.1 热辅助化学气相沉积

分类：薄膜太阳能电池1395字

对于外延晶体硅薄膜太阳能电池，最广泛研究的沉积技术是热辅助化学气相沉积(Thermally Assisted Chemical Vapor Deposition， TA-CVD)，其原理是Si前驱物和掺杂气体(doping gas或dopant gas)在加热的Si表面上发生热辅助的非均匀分解。自从20世纪70年代，TA-CVD被应用于太阳能电池制备[25]，现在欧洲[16， 26]和日本[27]将其广泛地用于制备晶体硅薄膜太阳能电池。TA-CVD有数种反应腔类型，包括分批式(batch type)和单一晶片系统(single wafer system)。单一晶片系统是横向的流动反应腔，气体从腔体(chamber)的一端引入，从另一端排出。晶片(wafer)平放在镀有SiC的石墨基座(graphite susceptor)上，在热隔绝(thermal insulation)条件下通过辐射加热 ......     （共1395字）    [阅读本文]>>

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