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1.2.2 液相外延和电镀

分类：薄膜太阳能电池2066字

溶液生长(Solution Growth， SG)在基理上不同于化学气相沉积CVD，使用液体介质而不是气体环境作为前驱物来源，当SG应用于在晶体衬底上生长外延层，也被称为液相外延LPE[31]。在SG中，Si的生长出于金属熔体(melt)，典型金属熔体为Sn或In，有时使用Cu或Al[32， 33]。金属熔体含有饱和的Si，随后被缓慢地冷却。当冷却到一定程度时，金属达到过饱和，晶体硅层将通过非均匀的成核从金属熔体沉积到衬底上。典型的沉积温度在700～900℃范围，低于热辅助化学气相沉积TA-CVD，而生长速率在1μm/min量级。

除了概念简单，LPE技术的主要优势是生长系统接近于热平衡状态(thermal equilibrium)，而且熔体中的Si原子表现出较大 ......     （共2066字）    [阅读本文]>>

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