1.2.3 近空间气相输运
作为另一种外延层制备技术,近空间气相输运(close space vapor transport, CSVT)具有较高的化学效率(chemical efficiency),而化学效率是指固体薄膜的Si生长量和Si供应量的比例[40, 41]。虽然CSVT技术在20世纪60年代就被了解[42],但是CSVT最近被美国国家可再生能源实验室(National Renewable Energy Laboratory, NREL)重新研究,如图1.6(a)所示。在CSVT技术中,Si从固体源(solid source)向衬底输运(transport)。Si输运的驱动力来自于固体源和衬底的温度差(temperature difference)。固体源和衬底之间的较小间隔形成了较大的输运效率,将腔壁上的Si损失降到最低。CSVT技术可以将外延层沉积到高掺杂的单晶硅或多晶硅衬底上。
图1.6 近空间气 ...... (共1083字) [阅读本文]>>