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1.3.3 量子点太阳能电池

分类：薄膜太阳能电池1090字

为了避免弛豫后SiGe层厚度超过临界厚度形成的结晶缺陷，最近有人提出并测试了其他方法。一种方法是用SK生长(Stranski-Krastanov growth)，将生长的Ge层嵌入Si晶体矩阵(crystal matrix)，形成三维的岛(island)。嵌入的Ge层会增加电池基极的红外光吸收，以实现更高的光生电流(photocurrent)，并且克服异质结构(heterostructure)开路电压Voc的损失。可以在基于Si的p-i-n结(p-i-n junction)二极管本征区(intrinsic region)制备堆积自组装锗量子点(stacked self-assembled Ge quantum dot)，形成量子点太阳能电池(quantum dot solar cell)[57]。通过气体源分子束外延(Gas Source Molecular Beam Epitaxy， GS-MBE)，Ge量子点以SK生长方式外延生长在p型Si(100)晶面衬底上， ......     （共1090字）    [阅读本文]>>

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