虽然可以清楚地证明Si1-xGex合金或Ge量子点使外延晶体硅薄膜太阳能电池的光生电流增加，但是实验仍然不能证明电流的增加足以抵消电压的减小，以至于转换效率反而降低。所以，需要发展Si衬底和Si外延层之间的陷光结构，要求在Si衬底和外延层之间加入折射率不同的介质，形成掩埋背反射镜(buried backside reflector)，并且允许外延生长。总体而言，掩埋背反射镜有两种基本的制备技术，即多孔硅中间层(porous silicon interlayer)和外延横向过度生长(epitaxial lateral overgrowth)，如图1.14所示。在含HF溶液中阳极电镀(anodization)形成的多孔结构可以控制折射率，多孔硅(porous silicon)可以作为外延生长的模板，并且隔离 ...... （共473字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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