1.3.4.1 多孔硅中间层
电化学蚀刻(electrochemical etching)是较好的制备多孔硅技术,可以形成多重布拉格反射镜(multiple Bragg reflector),应用于光学谐振腔(optical resonant cavity)。可以通过孔隙率(porosity)控制多重布拉格反射镜层的折射率,而孔隙率由电化学蚀刻的电流密度和溶液中HF浓度等阳极电镀的条件决定。因为多孔硅保留了被蚀刻原始晶体衬底的结晶信息,Si沉积过程是以原始晶体衬底结构为基础的有序沉积,所以电化学蚀刻是制备掩埋背反射镜的理想技术[61, 62]。
为了模拟并优化多孔硅中间层的掩埋背反射镜,可以基于不规则介质(random media)中的电磁波传播(electromagnetic wave propagation)理论,建立多孔硅光传播的模型[63]。模 ...... (共2084字) [阅读本文]>>