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如果通过高温的化学气相沉积CVD在异质衬底上沉积Si薄膜，典型的晶粒尺寸在μm量级。到目前为止，运用传统晶体硅薄膜太阳能电池工艺，将这种Si薄膜制备为p-n结，得到的最高转换效率低于6%[26， 53， 54]。但是，通过固相再结晶或液相再结晶，晶粒尺寸可以增加数个数量级，从而实现转换效率更高的异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池。
应用于异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池的再结晶技术需要满足一定的要求：
● 再结晶工艺步骤的成本低于20/m2;
● 相关设备的生产速率至少达5m2/h;
● 再结晶设备不能太复杂，而且具有较高的可靠性;
● 工艺需要实现自动化控制;
● 实现大于100μm的晶粒尺寸。
ZMR是少数几种 ...... （共2060字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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