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2.3.2 区熔再结晶的机理

分类：薄膜太阳能电池3129字

为了了解区熔再结晶ZMR的机理，需要通过实验分析ZMR生长薄膜的形貌(morphology或topography)。对ZMR生长的薄膜进行射哥蚀刻(Secco etch)，薄膜会出现典型的缺陷结构。对Si薄膜的射哥蚀刻是一种择优蚀刻(preferential etch或selective etch)。按照2∶1的比例，混合48%的HF溶液和K2Cr2O7的0.15容模溶液(molar solution， 1mol的溶质和1L水的溶液)，可以得到射哥蚀刻溶液[68]。经过射哥蚀刻Si薄膜出现的黑线状缺陷是小角度晶界(low angle grain boundary)，如图2.5(a)所示。小角度晶界是指位错角度小于11°形成的晶界。因为这些晶界都存在于同一晶粒中，也被称为亚晶界(subgrain boundary或subboundary)。亚晶界与扫描方向(scan direction)平行，并在 ......     （共3129字）    [阅读本文]>>

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