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2.3.2节讨论了区熔再结晶ZMR工艺中亚晶界缺陷的形成机理。在ZMR工艺步骤后，高掺杂的Si薄膜需要通过外延生长，形成正常掺杂的较厚Si薄膜，才能制备异质衬底晶体硅薄膜太阳能电池。所以，ZMR籽晶层的缺陷与外延生长薄膜的关系非常重要。
经过抛光和射哥蚀刻的ZMR籽晶层[68]如图2.8所示。因为位错密度在宏观上被测为蚀刻坑密度(Etch Pit Density， EPD)，故EPD比背景高得多，并可以作为黑色条纹观测到。可以区别两种典型的晶粒，它们的EPD相差很大：
● 晶粒A：亚晶界方向与扫描方向有明显的夹角， EPD背景值约为1×106cm-2，而高位错密度区域的EPD为5×107cm-2，比EPD背景值大50倍;
● 晶粒B：亚晶界方向几乎与 ...... （共1075字） [阅读本文]>>
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薄膜太阳能电池2004年7月31日，德国政府在波恩颁布了最新修订的《可再生能源法》(RenewableEnergyLaw或Erneuerbare-Energien-Gesetz，EEG)，这一年的德国太阳能光伏上网电
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薄膜太阳能电池由于美国FirstSolar的碲化镉薄膜太阳能电池技术取得了巨大的商业成功，在全球太阳能电池组件制造商中独占鳌头，近年来各种薄膜太阳能电池技术都吸引了大量的风险投资(venturecapital)和私募
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薄膜太阳能电池有很多种方法可以制备晶体硅薄膜太阳能电池。其中，外延晶体硅薄膜太阳能电池(epitaxialcrystallinesiliconthinfilmsolarcell)与晶体硅太阳能电池的制备方法非常接近。
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薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的吸收层非晶硅a-Si：H可以方便地掺杂成为p型和n型，形成同质结。由于载流子的寿命(lifetime)较短，载流子的迁移率(mobility，μ)较低，过剩载流子的简单扩散(dif
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薄膜太阳能电池铜铟镓硒薄膜太阳能电池可以制备为上层配置或衬底配置。薄膜生长、化学成分扩散及对器件性能的影响依赖于器件结构。因为高温CIGS薄膜生长会发生CdS扩散，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的上层配置性能不及衬底配置。上
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